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产品信息
5N60
产品资料
功率MOSEFT—5N60
4.5A，600V N沟道
5N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快
的开关速度，极低栅电荷，化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源，
DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
1、特征
· 4.5A，600V， RDS(on)=2.4Ω@Vgs=10V；
· 极低栅电荷，典型15nC；
·极低反向转换电容；典型6.5pF
· 快速开关能力；
· 增强的dV/di能力；
· 100%雪崩击穿测试；
· 封装型式：TO-220/220F
· 结温 150 ℃
基本信息：
类别：晶体管
晶体管极性:N
漏极电流, Id值:4.5A
电压, Vds:600V
功耗:33W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220F
功率, Pd:33W
封装类型:TO-220F
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds典型值:600V
电流, Id连续:4.5A
电流, Idm脉冲:18A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th典型值:4V
晶体管极性:N
漏极电流, Id值:4.5A
电压, Vds:600V
功耗:33W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220F
功率, Pd:33W
封装类型:TO-220F
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds典型值:600V
电流, Id连续:4.5A
电流, Idm脉冲:18A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th典型值:4V