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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：164 A
Rds上漏源导通电阻：3.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-萘甲酸：56 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：143 W
通道模式：增强
商标名：StrongIRFET
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：176 S
下降时间：62 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：110 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：63 ns
典型中断时间：21 ns
零件号别名：IRL40B215 SP001558684
单位重量：6 g
应用
有刷电机驱动应用
BLDC电机驱动应用
电池供电电路
半桥和全桥拓扑
同步整流器的应用
谐振模式电源
ORing和冗余电源开关
DC/ DC和AC / DC转换器
DC/ AC逆变器
好处
针对逻辑电平驱动进行了优化
改进了Gate，雪崩和动态dV / dt坚固性
完全表征的电容和雪崩SOA
增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅*
符合RoHS，无卤素
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
164 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
116 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) |
120 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current ‚ |
656Š |
|
|
PD @TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
143 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.95 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
|
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw |
10 lbf·in (1.1 N·m) |
|
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC |
Junction-to-Case ˆ |
––– |
1.05 |
°C/W |
|
RqCS |
Case-to-Sink, Flat Greased Surface |
0.50 |
––– |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient |
––– |
62 |