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马先生
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ST/意法
STD3NK90ZT4
绝缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道，金属氧化物
增强型
V-FET/V型槽MOS
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
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ST意法 STD3NK90ZT4 TO-252 参数：
产品属性 属性值 搜索类似 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 900 V Id-连续漏极电流: 3 A Rds On-漏源导通电阻: 4.8 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Qg-栅极电荷: 22.7 nC 工作温度: - 55 C 工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 90 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: SuperMESH 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 高度: 2.4 mm 长度: 6.6 mm 系列: STD3NK90ZT4 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: MOSFET 宽度: 6.2 mm 商标: STMicroelectronics 正向跨导 - 值: 2.7 S 下降时间: 18 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 7 ns 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 45 ns 典型接通延迟时间: 18 ns 单位重量: 580 mg
产品种类:
Qg-栅极电荷:
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