深圳市赛明电子有限公司

14年

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供应SS8050,NPN三极管
供应SS8050,NPN三极管
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供应SS8050,NPN三极管

型号/规格:

SS8050

品牌/商标:

-

封装形式:

TO-92

环保类别:

普通型

安装方式:

直插式

包装方式:

散装

产品信息

ss8050三极管引脚图

SS8050LT1 TRANSISTOR( NPN ) FEATURES Power dissipation
PCM : 0.3 W(Tamb=25℃)
Collector current
ICM : 1.5 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO : 40 V
Operating and storage junction temperature range
TJ,Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified)

制造商: Fairchild Semiconductor  
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)  
 
晶体管极性: NPN  
集电极—发射极电压 VCEO: 25 V  
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V  
直流电集电极电流: 1.5 A  
直流集电极/Base Gain hfe Min: 85  
配置: Single  
工作频率: 100 MHz  
工作温度: 150 C  
安装风格: Through Hole  
封装 / 箱体: TO-92-3 Kinked Lead  
封装: Ammo  
集电极连续电流: 1.5 A  
工作温度: - 65 C  
功率耗散: 1 W  
工厂包装数量: 2000

制造商: Fairchild Semiconductor  
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)  
 
晶体管极性: NPN  
集电极—发射极电压 VCEO: 25 V  
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V  
直流电集电极电流: 1.5 A  
直流集电极/Base Gain hfe Min: 85  
配置: Single  
工作频率: 100 MHz  
工作温度: 150 C  
安装风格: Through Hole  
封装 / 箱体: TO-92-3 Kinked Lead  
封装: Ammo  
集电极连续电流: 1.5 A  
工作温度: - 65 C  
功率耗散: 1 W  
工厂包装数量: 2000
制造商: Fairchild Semiconductor  
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)  
 
晶体管极性: NPN  
集电极—发射极电压 VCEO: 25 V  
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V  
直流电集电极电流: 1.5 A  
直流集电极/Base Gain hfe Min: 85  
配置: Single  
工作频率: 100 MHz  
工作温度: 150 C  
安装风格: Through Hole  
封装 / 箱体: TO-92-3 Kinked Lead  
封装: Ammo  
集电极连续电流: 1.5 A  
工作温度: - 65 C  
功率耗散: 1 W  
工厂包装数量: 2000
制造商: Fairchild Semiconductor  
产品种类: Transistors Bipolar (BJT)  
 
晶体管极性: NPN  
集电极—发射极电压 VCEO: 25 V  
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V  
直流电集电极电流: 1.5 A  
直流集电极/Base Gain hfe Min: 85  
配置: Single  
工作频率: 100 MHz  
工作温度: 150 C  
安装风格: Through Hole  
封装 / 箱体: TO-92-3 Kinked Lead  
封装: Ammo  
集电极连续电流: 1.5 A  
工作温度: - 65 C  
功率耗散: 1 W  
工厂包装数量: 2000
集电极—发射极电压 VCEO: 25 V  
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V  
直流电集电极电流: 1.5 A  
直流集电极/Base Gain hfe Min: 85  
配置: Single  
工作频率: 100 MHz  
工作温度: 150 C  
安装风格: Through Hole  
封装 / 箱体: TO-92-3 Kinked Lead  
封装: Ammo  
集电极连续电流: 1.5 A  
工作温度: - 65 C  
功率耗散: 1 W  
工厂包装数量: 2000
集电极—发射极电压 VCEO: 25 V  
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V  
直流电集电极电流: 1.5 A  
直流集电极/Base Gain hfe Min: 85  
配置: Single  
工作频率: 100 MHz  
工作温度: 150 C  
安装风格: Through Hole  
封装 / 箱体: TO-92-3 Kinked Lead  
封装: Ammo  
集电极连续电流: 1.5 A  
工作温度: - 65 C  
功率耗散: 1 W  
工厂包装数量: 2000
集电极—发射极电压 VCEO: 25 V  
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V  
直流电集电极电流: 1.5 A  
直流集电极/Base Gain hfe Min: 85  
配置: Single  
工作频率: 100 MHz  
工作温度: 150 C  
安装风格: Through Hole  
封装 / 箱体: TO-92-3 Kinked Lead  
封装: Ammo  
集电极连续电流: 1.5 A  
工作温度: - 65 C  
功率耗散: 1 W  
工厂包装数量: 2000
极性:NPN   封装:SOT-23/SOT-323 TO-92,适用于电子玩具、3C领域,电源等。