深圳市赛明电子有限公司

• 品牌/型号：FAIRCHILD/仙童/FDS4435BZ
• 沟道类型：N沟道
• 导电方式：增强型
• 品牌：FAIRCHILD/仙童
• 型号：FDS4435BZ
• 封装外形：SMDSO/表面封装
• 用途：V-FET/V型槽MOS

数据列表 FDS4435BZ

产品相片 8-SOIC

产品变化通告 Mold COMPOUND Change 12/Dec/2007

标准包装 2,500

类别 分立半导体产品

家庭 FET - 单

系列 PowerTrench®

FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能 逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss) 30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 8.8A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值） 20 毫欧 @ 8.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 40nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1845pF @ 15V

功率 - 值 1W

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SOIC N

包装 带卷 (TR)

产品目录页面 1603 (CN2011-ZH PDF)

其它名称 FDS4435BZTR