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深圳市赛明电子有限公司
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产品信息
硅PNP管，100伏，3安培，40瓦，3兆赫;TIP32是负极输出管,电压为0V或5V的,B极0或5V是触发电压由外接单片机或温控电路提供;TIP32C是一种大功率PNP型三极管，UCEO=100V，IC=3A（持续）或5A（峰值），耗散功率PD=40W;TIP32C是TO-220封装双极型晶体管;TIP32C是硅PNP管，100伏3安培40瓦3兆赫;
-
型号/规格
TIP32C
- 封装形式
- TO-220
-
环保类别
无铅环保型
-
安装方式
直插式
-
包装方式
散装
硅PNP功率晶体管TIP32C
TRANS PNP EPITAX -3A-100V TO-220
| 晶体管类型 ： | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（） ： | 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（） ： | 100V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（） ： | 1.2V @ 375mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（） ： | 200µA |
| 在某 Ic、Vce 时的直流电流增益 (hFE) ： | 10 @ 3A, 4V |
| 功率 - ： | 2W |
| 频率 - 转换 ： | 3MHz |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-220 |
| 包装 ： | 散装 |
|
参数符号
|
符 号 说 明
|
值
|
典型值
|
值
|
单 位
|
测 试 条 件
|
|
BVCEO(sus)ICEO
ICESIEBOhFE
VCE(sat) VBE(on)fT
|
集电极—发射极维持电压*
集电极—发射极截止电流集电极—发射极截止电流发射极—基极截止电流直流电流增益*
集电极—发射极饱和电压*基极—发射极导通电压*特征频率
|
100
25
10
3.0
|
|
0.3
200
1
50
1.2
1.8
|
V
mA
µA
mA
V V
MHz
|
IC=30mA，IB=0
VCE=60V，IB=0
VCE=100V，VEB=0, VEB=5V，IC=0
VCE=4V，IC=1A VCE=4V，IC=3A IC=3A，IB=375mA VCE=4V，IC=3A VCE=10V，IC=0.5A，f=1MHz
|
*脉冲测试：脉宽≤300µs，占空比≤2%。