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产品信息
5N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性,如极快 的开关速度,极低栅电荷,化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关源DC/DC转换器,PWM马达控制和桥式驱动电路等。
1、特征
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· 4.5A,600V, RDS(on)=2.4Ω@Vgs=10V;
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· 极低栅电荷,典型15nC;
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·极低反向转换电容;典型6.5pF
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· 快速开关能力;
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· 增强的dV/di能力;
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· 100%雪崩击穿测试;
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· 封装型式:TO-220/220F
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· 结温 150 ℃