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询价产品信息
| 品牌：IR/仙童/INFINEON | 型号：20N60 | 种类：结型(JFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：MOS-TPBM/三相桥 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GaAS-FET砷化镓 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：45（μS） | 极间电容：45（pF） |
| 低频噪声系数：45（dB） | 漏极电流：45（mA） | 耗散功率：45（mW） |
原装进口供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60供应场效应管20N60
基本参数：
SPW20N60C3，采用TO-247 封装方式。
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 值:20.7A
电压, Vds :650V
开态电阻, Rds(on):0.19ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs :3V
功耗:208W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:208W
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:208W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:650V
电流, Idm 脉冲:62.1A
结温, Tj :-55°C
结温, Tj :150°C
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
阈值电压, Vgs th :3.9V
所属类别：半导体二极管
产品：General Purpose MOSFETs
晶体管极性：N-Channel
电阻基极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohm @ 10 V
基极/源极击穿电压：650 V
漏极连续电流： 20.7 A
功率耗散：208000 Mw
闸/源击穿电压：20 V
封装/箱体：TO-247
封装：Tube
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 值:20.7A
电压, Vds :650V
开态电阻, Rds(on):0.19ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs :3V
功耗:208W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:208W
封装类型:TO-247
总功率, Ptot:208W
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:650V
电流, Idm 脉冲:62.1A
结温, Tj :-55°C
结温, Tj :150°C
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
阈值电压, Vgs th :3.9V
所属类别：半导体二极管
产品：General Purpose MOSFETs
晶体管极性：N-Channel
电阻基极/源极 RDS（导通）：0.19 Ohm @ 10 V
基极/源极击穿电压：650 V
漏极连续电流： 20.7 A
功率耗散：208000 Mw
闸/源击穿电压：20 V
封装/箱体：TO-247
封装：Tube