深圳市赛明电子有限公司

• 品牌：精工
• 型号：S-8261ACEMD-G4ET2G
• 用途：放大
• 结构：PNP管
• 功耗：小功率三极管W
• 原理：双极性（BJT）
• 工艺：平面型三极管

日本精工（SEIKO/SII）S-8261系列单节锂电池保护IC
S-8261系列是内置高精度电压检测电路和延迟电路的锂离子／锂聚合物可充电池的保护IC，适合于1节锂离子／锂聚合物可充电池组的过充电、过放电和过电流的保护。
特点：
(1) 内置高精度电压检测电路
1、过充电检测电压　3.9 V ～ 4.4 V(对应5 mV级进)　　精度±25 mV(25°C)、±30 mV(-5°C ～ +55°C)
2、 过充电滞后电压　0.0 V ～ 0.4 V　精度±25 mV
3、 过放电检测电压　2.0 V ～ 3.0 V　精度±50 mV
4、过放电滞后电压　0.0 V ～ 0.7 V　精度±50 mV
5、过电流1检测电压　0.05 V ～ 0.3 V　精度±15 mV
6、过电流2检测电压　0.5 V(固定)　精度±100 mV
(2)　连接充电器的端子采用高耐压器件　(VM端子、CO端子：额定值=28 V)
(3)　各种延迟时间只需由内置电路来实现
(4)　内置三段过电流检测电路(过电流1、过电流2、负载短路)
(5)　可以选择向0 V电池充电功能的／
(6)　充电器检测功能、异常充电电流检测功能
(7)　低消耗电流
? 工作状态时 典型值3.5 μA　值7.0 μA
? 休眠状态时 值0.1 μA
(8)　宽工作温度范围　-40°C ~ +85°C
(9)　小型封装　SOT-23-6
(10)　 无铅，Sn100%，无卤素
规格型号：
S-8261AAGMD-G2GT2G
S-8261AAHMD-G2HT2G
S-8261AAJMD-G2JT2G
S-8261AALMD-G2LT2G
S-8261AAMMD-G2MT2G
S-8261AANMD-G2NT2G
S-8261AAOMD-G2OT2G
S-8261AAPMD-G2PT2G
S-8261AARMD-G2RT2G
s-8261AASMD-G2ST2G
S-8261AATMD-G2TT2G
S-8261AAUMD-G2UT2G
S-8261AAXMD-G2XT2G
S-8261AAZMD-G2ZT2G
S-8261ABAMD-G3AT2G
S-8261ABBMD-G3BT2G
S-8261ABCMD-G3CT2G
S-8261ABIMD-G3IT2G
S-8261ABJMD-G3JT2G
S-8261ABKMD-G3KT2G
S-8261ABLMD-G3LT2G
S-8261ABMMD-G3MT2G
S-8261ABNMD-G3NT2G
S-8261ABPMD-G3PT2G                                                                                                     
S-8261ABTMD-G3TT2G
S-8261ABYMD-G3YT2G
S-8261ABZMD-G3ZT2G
S-8261ACAMD-G4AT2G
S-8261ACBMD-G4BT2G
S-8261ACDMD-G4DT2G
S-8261ACEMD-G4ET2G
S-8261ACFMD-G4FT2G
S-8261ACHMD-G4HT2G
S-8261ACIMD-G4IT2G
S-8261ACJMD-G4JT2G
S-8261ACKMD-G4KT2G
S-8261ACMMD-G4MT2G
S-8261ACNMD-G4NT2G
S-8261ABRMD-G3RT2G         S-8261ABSMD-G3ST2G                                                                       

产品末位为G的是无铅制品
产品末位为S的是无铅无卤素制品
产品末位为U的是无铅（Sn100%）无卤素制品