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新洁能原厂代理现货热卖供应型号NCEP8589封装 TO-221原装
发布时间： 2017/6/13 10:53:56 | 341 次阅读
| 品名 | N沟道深沟槽MOSFET NCEP8588 |
|---|---|
| 型号 | NCEP8588 |
| 丝印标识 | NCEP8588 |
| 品牌 | 新洁能 |
| 封装 | TO-220 |
| 器件结构 | 屏蔽栅深沟槽工艺 |
| 晶体管类型 | 单通道 |
| 晶体管极性 | N管 |
| 通道模式 | 增强型 |
| 漏源极击穿电压 Vds | 85V |
| 连续漏极电流 Id @ 25°C | 88A |
| 源极电流 Is | 88A |
| 漏源导通电阻 Rds(ON) @ Id , Vgs | 6.4mOhms @ 44A 10V |
| 耗散功率(W) | 125W |
| 栅源极阈值电压 Vgs(th) @ Id | 2.5V ~ 4.5V @ 250μA |
| 栅极-源极电压 Vgs | ±20V |
| 栅极电荷 Qg @ Vgs | 44nC @ 10V |
| 输入结电容值 Ciss @ Vds | 3500pF @ 40V |
| 正向跨导 | 60S |
| N沟道接通延迟时间(nS) | 18.00 |
| N沟道接通上升时间(nS) | 50.00 |
| N沟道关断延迟时间(nS) | 30.00 |
| N沟道关断下降时间(nS) | 10.00 |
| 体二极管正向电压 Vsd @ Is | 1.2V @ 88A |
| 体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C | 68nS |
| 体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C | 139nC |
| 环境工作温度 | 175℃ |
| 环境工作温度 | -55℃ |
| 包装数量 | 50 |
| 包装方法 | 管装 |
| 生产状态 | 量产中 |
| 工程技术 | MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。 |
| 外观尺寸 | 10.16mm×8.70mm×4.57mm |