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企业档案
产品信息
- 品牌/型号:FAIRCHILD/仙童/FDS4435BZ
- 沟道类型:N沟道
- 导电方式:增强型
- 品牌:FAIRCHILD/仙童
- 型号:FDS4435BZ
- 封装外形:SMDSO/表面封装
- 用途:V-FET/V型槽MOS
数据列表 FDS4435BZ
产品相片 8-SOIC
产品变化通告 Mold COMPOUND Change 12/Dec/2007
标准包装 2,500
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 PowerTrench®
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 8.8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 20 毫欧 @ 8.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1845pF @ 15V
功率 - 值 1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC N
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 FDS4435BZTR